威剛發表 FB-DIMM DDR2 667 2GB 模組
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（8月18日，台北訊）自Intel於2004年提出FB-DIMM概念以來，威剛科技即不斷地在此領域耕耘，繼先前發表的FB-DIMM DDR2 667後，進一步將容量向上提升，以高達2GB的容量再度震撼業界。威剛FB-DIMM DDR2 667符合JEDEC 1.0版規範，採用128Mx4的FBGA封裝顆粒，並搭配10層PCB板設計而成，且記憶體模組披覆高效率散熱片，穩定性與品質皆技壓群雄。
在傳統並列式（Parallel）記憶體架構下，面對干擾與阻抗等因素對記憶體容量所造成的制約，新一代的全緩衝雙重內崁式記憶體模組（Fully Buffered Dual In Line Memory Module，FB-DIMM）改採串列式（Serial）傳輸，以現有DDR2記憶體顆粒結合AMB(Advance Memory Buffer)的設計，透過點對點(Point-to-Point)方式連接各模組與記憶體控制器，單一通道可支援多達8支FB-DIMM模組，同時記憶體通道數也一併增加至6組。因此，若FB-DIMM模組搭配256Mx8的記憶體顆粒，平台將發揮至192GB的極致容量，徹底突破當前Registered DIMM的容量瓶頸。
而串列式架構的優勢不僅於此，每一通道的訊號線由240pin縮減至69pin，間接促使主機板線路佈局的簡化。此外，由於採低電壓差動訊號（Low-voltage Differential Signaling，LVDS）模式運作，不僅具有降低雜訊干擾，以及串音(cross-talk)問題之效，同時經由AMB作為存取FB-DIMM之啟動開關，以動態方式選取DRAM顆粒，自動平衡訊號傳輸負載，有效地解決記憶體顆粒之相容性問題，以及與阻抗匹配效應。
另一方面，FB-DIMM也強化了循環冗餘檢測（Cyclic Redundancy Check，CRC）機制，即便記憶體模組或通道發生故障，伺服器仍能持續運作，且進一步具備熱插入（Hot-Add）能力。換句話說，當擴充記憶體時即不需關機，讓MIS人員作業更為便利。值得一提的是，威剛DDR2 667 FB-DIMM一併提供IDT、NEC及Intel等多種AMB品牌選擇，甚至通過Intel參考平台（搭配Channel Test Card）測試，穩定性與相容性已獲得Intel認證。